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    Effect of aluminum substitution on physical–chemical properties of novel iron-sillenite Bi<subscript>25</subscript>Fe<subscript>(1−x)</subscript>Al<subscript>x</subscript>O<subscript>40</subscript> (x = 0.00, 0.20, 0.50).
    Jebari, H. ; Boudad, L. ; et al.
    In: Applied Physics A: Materials Science & Processing, Jg. 130 (2024-03-01), Heft 3, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Alloy splitting of the Fe<subscript>Ga</subscript> acceptor level in dilute Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N.
    Kruszewski, P. ; Markevich, V. P. ; et al.
    In: Applied Physics Letters, Jg. 123 (2023-11-27), Heft 22, S. 1-6
    Online academicJournal
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    STRUCTURAL AND MICROESTRUCTURAL CHARACTERIZATION OF Al<subscript>X</subscript>Ti<subscript>3-X</subscript> TITANIUM - BASE ALUMINIUM ALLOYS.
    PENTÓN-MADRIGAL, A. ; DOS SANTOS-BRANCO, A. ; et al.
    In: Revista Cubana de Física, Jg. 39 (2022-07-01), Heft 1, S. 37-43
    Online academicJournal
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    Boost in room temperature thermoelectric performance of PbSe:Al<subscript>x</subscript> through band modification and low densification.
    Gayner, Chhatrasal ; Sharma, Raghunandan ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-10-21), Heft 15, S. 1-11
    Online academicJournal
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    Spectroscopic analysis of the NIR emission in Tm implanted Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers.
    Rodrigues, J. ; Fialho, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-08-28), Heft 8, S. 81701-1- (11S.)
    Online academicJournal
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    A numerical study of carrier impact ionization in AlxGa1-xN.
    Bellotti, Enrico ; Bertazzi, Francesco
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-05-15), Heft 10, S. 103711-103718
    Online academicJournal
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    Direct and indirect photoluminescence excitation and ultraviolet emission from Tm-doped Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N.
    Glinka, Yuri D. ; Foreman, John V. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-04-15), Heft 8, S. 83509-83513
    Online academicJournal
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    Model dielectric functions for Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>As alloys of arbitrary compositions.
    Jung, Y. W. ; Kim, T. J. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-07-01), Heft 1, S. 13515-13519
    Online academicJournal
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    Planar nitrogen-doped aluminum clusters Al<subscript>x</subscript>N<superscript>-</superscript> (x=3–5).
    Averkiev, Boris B. ; Boldyrev, Alexander I. ; et al.
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 125 (2006-09-28), Heft 12, S. 124305-124316
    Online academicJournal
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    Determination of Al molar fraction in AlxGa1-xN films by Raman scattering.
    Kim, J. G. ; Kimura, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 110 (2011-08-01), Heft 3, S. 33511-33514
    Online academicJournal
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    Ab initio study of lattice vibration and polaron properties in zinc-blende Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N alloys.
    Bouarissa, N. ; Saib, S.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-12-01), Heft 11, S. 113710-113715
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    Crystallization behavior of amorphous Al<subscript>x</subscript>(Ge<subscript>2</subscript>Sb<subscript>2</subscript>Te<subscript>5</subscript>)<subscript>1-x</subscript> thin films.
    Seo, Jae-Hee ; Song, Ki-Ho ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 108 (2010-10-01), Heft 6, S. 64515-64520
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    Spin splitting in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N/GaN quasiballistic quantum wires.
    Lo, Ikai ; Chen, Y. L. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 105 (2009-05-01), Heft 9, S. 93716-93720
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    Recombination processes in midinfrared Al<subscript>x</subscript>In<subscript>1-x</subscript>Sb light-emitting diodes.
    Mirza, B. I. ; Nash, G. R. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 104 (2008-09-15), Heft 6, S. 63113-63119
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    First principle study of AlX (X=3d,4d,5d elements and Lu) dimer.
    Ouyang, Yifang ; Wang, Jianchuan ; et al.
    In: Journal of Chemical Physics, Jg. 128 (2008-02-21), Heft 7, S. 74305-74310
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    Exciton freeze-out and thermally activated relaxation at local potential fluctuations in thick Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N layers.
    Beil, A. ; Srinivasan, S. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 95 (2004-05-01), Heft 9, S. 4670-4674
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    Insight into the physical mechanism of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N electron blocking layer in GaN-based light emitting diodes.
    Zhao, Juanli ; Xiong, Zhihua ; et al.
    In: AIP Advances, Jg. 8 (2018-10-01), Heft 10, S. N.PAG- (7S.)
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    Isotropic dielectric functions of highly disordered AlxGa1-xInP (0...x...1) lattice matched to GaAs.
    Schubert, M. ; Woollam, J. A.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 86 (1999-08-15), Heft 4, S. 2025-2033
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    The Effect of Charge Transport Mechanisms on the Efficiency of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1 - x</subscript>As/GaAs Photodiodes.
    Kalinovskii, V. S. ; Kontrosh, E. V. ; et al.
    In: Technical Physics Letters, Jg. 44 (2018-11-01), Heft 11, S. 1013-1016
    Online academicJournal
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    Conduction band offset in the AlxGayIn1-x-yP/Ga0.52In0.48P system as studied by luminescence spectroscopy.
    Vignaud, D. ; Mollot, F.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 93 (2003), Heft 1, S. 384-389
    Online academicJournal
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