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    Photocurrent enhancement of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N nanowire arrays photodetector based on coupling effects of pn junction and gradient component.
    Xia, Sihao ; Diao, Yu ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-09-17), Heft 38, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Highly efficient, spectrally pure 340 nm ultraviolet emission from Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-x</subscript>N nanowire based light emitting diodes.
    Wang, Q. ; Connie, A. T. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-08-30), Heft 34, S. 1-6
    Online academicJournal
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    Erratum: Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous AlxOy: in situ quadrupole mass spectrometry studies (2019 Nanotechnology 30 154002).
    Sobanska, M ; Z R Zytkiewicz ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-08-09), Heft 32, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Deep ultraviolet emitting polarization induced nanowire light emitting diodes with AlxGa1−xN active regions.
    Thomas F Kent ; Santino D Carnevale ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 25 (2014-11-14), Heft 45, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Tuning electrical and thermal conductivities of the two-dimensional electron gas in AlN/GaN heterostructures by piezoelectricity.
    Abou-Hamdan, L ; Hamyeh, S ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 52 (2021-03-12), Heft 11, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Tuning electrical and thermal conductivities of the two-dimensional electron gas in AlN/GaN heterostructures by piezoelectricity.
    Abou-Hamdan, L ; Hamyeh, S ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 32 (2021-03-05), Heft 10, S. 1-10
    Online academicJournal
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    Internal quantum efficiency of AlGaN/AlN quantum dot superlattices for electron-pumped ultraviolet sources.
    Harikumar, A ; Donatini, F ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-12-11), Heft 50, S. 1-12
    Online academicJournal
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    Assessment of AlGaN/AlN superlattices on GaN nanowires as active region of electron-pumped ultraviolet sources.
    Dimkou, I ; Harikumar, A ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-05-15), Heft 20, S. 1-15
    Online academicJournal
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    Selective area formation of GaN nanowires on GaN substrates by the use of amorphous Al x O y nucleation layer.
    Sobanska, Marta ; Zbigniew R Zytkiewicz ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 31 (2020-05-01), Heft 18, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Comprehensive analysis of the self-assembled formation of GaN nanowires on amorphous Al x O y : in situ quadrupole mass spectrometry studies.
    Sobanska, M ; Z R Zytkiewicz ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-04-12), Heft 15, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Unified mechanism of the surface Fermi level pinning in III-As nanowires.
    Prokhor A Alekseev ; Mikhail S Dunaevskiy ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 29 (2018-08-03), Heft 31, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Growth, structural and optical properties of AlGaN nanowires in the whole composition range.
    Pierret, A. ; Bougerol, C. ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 24 (2013-03-22), Heft 11, S. 1-9
    Online academicJournal
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    Self-assembled growth of GaN nanowires on amorphous Al x O y : from nucleation to the formation of dense nanowire ensembles.
    Sobanska, M ; Fernández-Garrido, S ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 27 (2016-08-12), Heft 32, S. 1-1
    Online academicJournal
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    UV LEDs based on p–i–n core–shell AlGaN/GaN nanowire heterostructures grown by N-polar selective area epitaxy.
    Matt D Brubaker ; Kristen L Genter ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-06-07), Heft 23, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Interfacial reactions during the molecular beam epitaxy of GaN nanowires on Ti/Al2O3.
    Calabrese, G ; Gao, G ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-03-15), Heft 11, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Triaxially uniform high-quality Al x Ga(1−x)N (x ∼ 50%) nanowires on template free sapphire substrate.
    Sarkar, Ritam ; Ghosh, Kankat ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-02-08), Heft 6, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Tuning adatom mobility and nanoscale segregation by twin formation and polytypism.
    Francaviglia, Luca ; Tütüncüoglu, Gözde ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 30 (2019-02-01), Heft 5, S. 1-1
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    An x-ray photoemission electron microscopy study of the formation of Ti-Al phases in 4 mol% TiCl3 catalyzed NaAlH4 during high energy ball milling.
    Dobbins, Tabbetha ; Abrecht, Mike ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 20 (2009-05-20), Heft 20, S. 204014-204014
    Online academicJournal
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    Fabrication of AlGaN nanorods with different Al compositions for emission enhancement in UV range.
    Dai, Jiangping ; Liu, Bin ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 28 (2017-09-20), Heft 38, S. 1-1
    Online academicJournal
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    Tailoring of morphology and emission wavelength of AlGaInAs quantum dots.
    T W Schlereth ; Schneider, C ; et al.
    In: Nanotechnology, Jg. 19 (2008-01-30), Heft 4, S. 45601-45601
    Online academicJournal
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