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    MOVPE growth of Si-doped GaAs and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As using tertiarybutylarsine (TBA) in pure N<subscript>2</subscript> ambient
    Huang, G.S. ; Tang, X.H. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 6 (2003-08-01), Heft 4, S. 171-174
    Online academicJournal
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    Performance of thin AlxOy, SixNy and AlN passivation layers for high temperature SAW device applications.
    Gillinger, M. ; Knobloch, T. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 81 (2018-07-01), S. 1-6
    Online academicJournal
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    AlxGa1−xAs/GaAs heterostructures with abnormally high mobility of charge carriers.
    Seredin, P.V. ; Lenshin, A.S. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 38 (2015-10-01), S. 107-112
    Online academicJournal
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    Design of AlxGa1−xAs/GaAs/InyGa1−yAs triple junction solar cells with anti-reflective coating.
    Bernal-Correa, Roberto ; Morales-Acevedo, Arturo ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 37 (2015-09-01), S. 57-61
    Online academicJournal
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    Influence of applied external fields on the nonlinear optical properties of a semi-infinite asymmetric AlxGa1−xAs/GaAs quantum well.
    Ungan, F. ; Bahar, M.K. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 123 (2021-03-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    AlxGa1−xN/GaN/AlN heterostructures grown on Si(1 1 1) substrates by MBE for MSM UV photodetector applications.
    Yusoff, M.Z. Mohd ; Hassan, Z. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 34 (2015-06-01), S. 214-223
    Online academicJournal
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    Design analysis of polarization-doped N-face InGaN/GaN light-emitting diodes with different AlxGa1−xN graded layers.
    Yang, G.F. ; Tong, Y.Y. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 29 (2015), S. 362-366
    Online academicJournal
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    Comprehensive analysis of the composition determination in epitaxial AlxGa1-xAs films: A multitechnique approach.
    Gonzalez, M. ; Rozas, G. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 123 (2021-03-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Structural, elastic, electronic and thermoelectric properties of AlxGa1-xN (x = 0, 0.125, 0.375, 0.625, 0.875 and 1) semiconductors.
    Kafi, A. ; Khodja, F. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 113 (2020-07-01), S. N.PAG
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    An ab initio study of the structural, elastic, electronic, optical properties and phonons of the double perovskite oxides Sr2AlXO6 (X=Ta, Nb, V).
    Ghebouli, B. ; Ghebouli, M.A. ; et al.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 42 (2016-02-03), S. 405-412
    Online academicJournal
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    The rapid amorphisation of In<subscript>0.53</subscript>Ga<subscript>0.47</subscript>As relative to both InAs and GaAs
    Wesch, W. ; Ridgway, M.C.
    In: Materials Science in Semiconductor Processing, Jg. 7 (2004-02-01), Heft 1/2, S. 35-38
    Online academicJournal
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