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    Metalorganic vapor-phase epitaxy of β-(AlxGa1-x)2O3 on ([formula omitted] 0 1) Ga2O3 substrates.
    Zheng, Xueyi ; Zheng, Jun ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 603 (2023-02-01), S. N.PAG
    Online academicJournal
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    Growth of free-standing bulk wurtzite AlxGa1−xN layers by molecular beam epitaxy using a highly efficient RF plasma source.
    Novikov, S.V. ; Staddon, C.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 456 (2016-12-15), S. 151-154
    Online academicJournal
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    The influence of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N intermediate buffer layer on the characteristics of GaN/Si(1 1 1) epitaxy
    Jang, Seong-Hwan ; Lee, Seong-Suk ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 255 (2003-08-01), Heft 3/4, S. 220-226
    Online academicJournal
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    Controlling the compositional inhomogeneities in AlxGa1−xN/AlyGa1−yN MQWs grown by PA-MBE: Effect on luminescence properties.
    Pramanik, Pallabi ; Sen, Sayantani ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 439 (2016-04-01), S. 60-65
    Online academicJournal
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    Direct MOVPE growth of semipolar [formula omitted] AlxGa1−xN across the alloy composition range.
    Hatui, Nirupam ; Rahman, A. Azizur ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 437 (2016-03-01), S. 1-5
    Online academicJournal
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    Growth characteristics of corundum-structured α-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructures on sapphire substrates.
    Kaneko, Kentaro ; Suzuki, Kenta ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 436 (2016-02-15), S. 150-154
    Online academicJournal
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    Optical properties of AlxGa1−xAs/GaAs superlattice solar cells.
    Kuramoto, Makoto ; Urabe, Hiroyuki ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 425 (2015-09-01), S. 333-336
    Online academicJournal
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    InAs nanowires with AlxGa1−xSb shells for band alignment engineering.
    Rieger, Torsten ; Grützmacher, Detlev ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 425 (2015-09-01), S. 80-84
    Online academicJournal
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    Molecular beam epitaxy of free-standing wurtzite AlxGa1−xN layers.
    Novikov, S.V. ; Staddon, C.R. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 425 (2015-09-01), S. 125-128
    Online academicJournal
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    Pulsed growth techniques in plasma-assisted molecular beam epitaxy of AlxGa1−xN layers with medium Al content (x=0.4–0.6).
    Nechaev, D.V. ; Brunkov, P.N. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 425 (2015-09-01), S. 9-12
    Online academicJournal
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    AlxIn1−xAsySb1−y alloys lattice matched to InAs(1 0 0) grown by molecular beam epitaxy.
    Rojas-Ramirez, J.S. ; Wang, S. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 425 (2015-09-01), S. 33-38
    Online academicJournal
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    Parameter study of intrinsic carbon doping of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-</subscript><subscript>x</subscript>As by MOCVD
    van Deelen, J. ; Bauhuis, G.J. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 271 (2004-11-15), Heft 3/4, S. 376-384
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    Behaviors of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (0.5⩽<f>x</f>⩽1.0)/GaN short period strained-layer superlattices on the threading dislocation density reduction in GaN films
    Gong, J.R. ; Huang, C.W. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 260 (2004-01-02), Heft 1/2, S. 73-78
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    A multiscale study of the selective MOVPE of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>As in the presence of HCl
    Cavallotti, Carlo ; Nemirovskaya, Maria ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 248 (2003-02-01), Heft 1-4, S. 411-416
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    Growth temperature effect on the optical and material properties of Al<subscript>x</subscript>In<subscript>y</subscript>Ga<subscript>1−x−y</subscript>N epilayers grown by MOCVD
    Huang, J.S. ; Dong, X. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 247 (2003), Heft 1/2, S. 84-90
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    The role of AlN buffer layer in Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N/GaN heterostructures with <f>x</f> from 0.35 to 0.5 grown on sapphire (0 0 0 1)
    Seo, In-Seok ; Lee, Seung-Jae ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 241 (2002-06-01), Heft 3, S. 297-303
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    Low-dislocation-density GaN and Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1−x</subscript>N (x⩽0.13) grown on grooved substrates
    Sano, Shigekazu ; Detchprohm, Theeradetch ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 235 (2002-02-15), Heft 1-4, S. 129-134
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    Crystal growth and thermal properties of the laser crystal Yb3+:Gd3(AlxGa1−x)5O12.
    Li, Yanbin ; Jia, Zhitai ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 415 (2015-04-01), S. 20-24
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    Growth of Al<subscript>x</subscript>Ga<subscript>1-</subscript><subscript>x</subscript>N-layers on planar and patterned substrates
    Rossow, U. ; Fuhrmann, D. ; et al.
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 272 (2004-12-01), Heft 1-4, S. 506-514
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    Growth design for high quality AlxGa(1−x)N layer with high AlN-fraction on Si (1 1 1) substrate by MOCVD.
    Bardhan, Abheek ; Raghavan, Srinivasan
    In: Journal of Crystal Growth, Jg. 578 (2022-01-15), S. N.PAG
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