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    Thermoelectric properties of semiconductorlike intermetallic compounds TMGa<subscript>3</subscript> (TM=Fe, Ru, and Os).
    Amagai, Y. ; Yamamoto, A. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 96 (2004-11-15), Heft 10, S. 5644-5648
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    Parameters study on the growth of GaAs nanowires on indium tin oxide by metal-organic chemical vapor deposition.
    Wu, Dan ; Tang, Xiaohong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 119 (2016-03-07), Heft 9, S. 94305-1- (6S.)
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    Correlation between amplitude of spin accumulation signals investigated by Hanle effect measurement and effective junction barrier height in CoFe/MgO/n<superscript>+</superscript>-Si junctions.
    Saito, Y. ; Ishikawa, M. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-05-07), Heft 17, S. 17C707-1- (4S.)
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    Influences of group-III source preflow on the polarity, optical, and structural properties of GaN grown on nitridated sapphire substrates by metal-organic chemical vapor deposition.
    Li, Chengguo ; Liu, Hongfei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-03-28), Heft 12, S. 125305-1- (5S.)
    Online academicJournal
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    InGaAs/GaAsP superlattice solar cells with reduced carbon impurity grown by low-temperature metal-organic vapor phase epitaxy using triethylgallium.
    Fujii, Hiromasa ; Toprasertpong, Kasidit ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 116 (2014-11-28), Heft 20, S. 203101-1- (8S.)
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    Influence of a composite free layer structure on thermal stability of perpendicular magnetic tunnel junction.
    Skowroński, Witold ; Łazarski, Stanisław ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 124 (2018-08-14), Heft 6, S. N.PAG- (5S.)
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    Effect of buffer layers and stacking faults on the reduction of threading dislocation density in GaN overlayers grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Cho, Hyung Koun ; Lee, Jeong Yong ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 89 (2001-03-01), Heft 5, S. 2617-2621
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    Resonant and nonresonant vibrational excitation of ammonia molecules in the growth of gallium nitride using laser-assisted metal organic chemical vapour deposition.
    Rabiee Golgir, Hossein ; Yun Shen Zhou ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 120 (2016-09-14), Heft 10, S. 105303-1- (8S.)
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    Fabrication of fully epitaxial Co<subscript>2</subscript>MnSi/MgO/Co<subscript>2</subscript>MnSi magnetic tunnel junctions.
    Ishikawa, Takayuki ; Hakamata, Shinya ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 103 (2008-04-01), Heft 7, S. 7A919- (3S.)
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    Hole mobility in Al[sub x]Ga[sub 1-x]Sb grown by metalorganic chemical vapor deposition.
    Ramelan, A. H. ; Goldys, E. M.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 92 (2002-11-15), Heft 10, S. 6051-6056
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    Photoluminescence studies on Si-doped GaAs/Ge.
    Hudait, M.K. ; Modak, P. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 83 (1998-04-15), Heft 8, S. 4454-4461
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    The use of azo-compounds as probes of carbon incorporation of nominally undoped metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs.
    Buchan, N. I. ; Kuech, T. F. ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 69 (1991-02-15), Heft 4, S. 2156-2160
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    Effect of thickness of MgO, Co-Fe-B, and Ta layers on perpendicular magnetic anisotropy of [Ta/Co60Fe20B20/MgO]5 multilayered films.
    Yuan, Fu-Te ; Lin, Yi-Hung ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 111 (2012-04-01), Heft 7, S. 07C111
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    Spin transport and magnetoresistance in Thue-Morse graphene superlattice with two ferromagnetic graphene electrodes.
    Liu, Haiyan ; Zhang, Hongmei ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 114 (2013-10-28), Heft 16, S. 163715-163715
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    Buffer layer structure for measuring the elastic properties of brittle thin films by nanoindentation with application on nanoporous low-k dielectrics.
    Li, Han ; Lin, Kevin ; et al.
    In: Journal of Applied Physics, Jg. 117 (2015-03-21), Heft 11, S. 115303-1- (8S.)
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