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    Enhanced light output of InGaN LEDs with a roughened p-GaN surface using different TMGa flow rates in p-AlGaN layer
    Tsai, P.C. ; Chen, W.R. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 256 (2010-09-01), Heft 22, S. 6694-6698
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    Morphological and luminescent characteristics of GaN dots deposited on AlN by alternate supply of TMG and NH<subscript>3</subscript>
    Tsai, Yu-Li ; Gong, Jyh-Rong ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 252 (2006-03-15), Heft 10, S. 3454-3459
    Online academicJournal
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    Growth kinetics for temperature-controlled atomic layer deposition of GaN using trimethylgallium and remote-plasma-excited NH3.
    Pansila, P. ; Kanomata, K. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 357 (2015-12-02), S. 1920-1927
    Online academicJournal
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    The electrical properties of low pressure chemical vapor deposition Ga doped ZnO thin films depending on chemical bonding configuration.
    Jung, Hanearl ; Kim, Doyoung ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 297 (2014-04-01), S. 125-129
    Online academicJournal
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    Growth characteristics and properties of Ga-doped ZnO (GZO) thin films grown by thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition.
    Nam, Taewook ; Lee, Chang Wan ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 295 (2014-03-15), S. 260-265
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    Chemical characterization of gallium droplets grown by LP-MOCVD
    Imhoff, L. ; Heintz, O. ; et al.
    In: Applied Surface Science, Jg. 253 (2006-12-30), Heft 5, S. 2820-2824
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    Formation of amorphous and crystalline gallium oxide nanowires by metalorganic chemical vapor deposition
    Kim, Hyoun Woo ; Kim, Nam Ho
    In: Applied Surface Science, Jg. 233 (2004-06-30), Heft 1-4, S. 294-298
    Online academicJournal
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